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半導體和光電子器件的物理場(chǎng)仿真
半導體模塊提供了專(zhuān)用的工具,在最基礎的物理層面分析半導體器件的運行狀態(tài)。該模塊基于漂移-擴散方程,包含等溫或非等溫傳遞模型,可用于仿真一系列實(shí)際器件,包括雙極晶體管、金屬半導體場(chǎng)效應晶體管 (MESFET)、金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管 (MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)、肖特基二極管和 P-N 結等。
多物理場(chǎng)效應通常會(huì )對半導體器件的性能產(chǎn)生重要影響。半導體模塊使用戶(hù)輕松創(chuàng )建涉及多個(gè)物理場(chǎng)效應的模型。例如,功率器件中的熱效應可以通過(guò)添加一個(gè)傳熱物理場(chǎng)接口來(lái)模擬。還可以包含光躍遷來(lái)模擬諸如太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極管(LED) 以及光電二極管等一系列器件。